光伏设备行业之HJT跟踪分析：龙头扩产依旧，多路线降本提效待花开

（报告出品：广发证券）

一、HJT 降本增效持续进行，龙头扩产依旧

（一）HJT 扩产不停歇，以新玩家为主

HJT扩产规模以及出货维持较高增速。随着双面微晶、0BB、银包铜、铜电镀、HJT/ 钙钛矿叠层电池等新技术的持续进步，HJT投资依然维持了较高的景气度。根据 PVInfolink，2023年中国HJT产能预估可达到58GW，同比增长346%，组件出货 13GW，同比增长333%；根据Taiyangnews发布的《2023年异质结太阳能技术报告》， 中国已经有超过40家企业布局HJT行业，规划和在建的产能合计约218GW，其中不 乏三五互联、乾景园林、宝馨科技等跨界玩家。

华晟新能源、东方日升、金刚光伏贡献了HJT扩产的主要份额。华晟新能源、爱康科 技、东方日升、金刚光伏等主要玩家电池和组件产能建设规模合计超过80GW，三五 互联、乾景园林、宝馨科技、泉为科技、国电投、正业科技等跨界玩家均具有超过 10GW的扩产规划。

（二）HJT 组件首次进入央企集采，下游认可度明显提高

HJT组件首次进入央企集采，中标企业均为头部玩家。3月27日，中核汇能开展“2023 年度光伏组件设备集中采购”开标，中核汇能作为中国核电的控股子公司，是国内 央企首次将“HJT组件”作为一个单独的产品分类进行招标。本次招标共6GW，分为三个包件，其中：包件1为P型单晶（540W以下规模500MW， 540W及以上规模3GW），包件2为N型单晶（TOPCon，550W及以上规模2GW）， 包件3为N型单晶（HJT，580W及以上规模500MW）。根据中标结果，东方日升、通威太阳能和爱康光电中标N型HJT电池组件。

HJT组件在功率和溢价上有显著优势。本次招标的HJT组件的门槛功率为580W，比 PERC高出40W，比TOPCon高出30W。根据SOLARZOOM新能源智库统计的最新 开标结果，此次招标共有40家企业参与投标，包件1均价为1.64元/W，投标价格范围 在1.60-1.72元/W；包件2均价为1.72元/W，投标价格范围在1.65-1.80元/W；包件3 均价为1.80元/W，投标价格范围在1.73-1.89元/W；对比报价均价，HJT组件和 TOPCon组件相比PERC的溢价分别为0.16元/W和0.08元/W。本次中核汇能招标规模共6GW，参与招标企业共40家，规模大小和参与数量具有一 定代表性，溢价数据更加客观，展示了HJT技术的高功率、高发电量的优势。随着双 面微晶、0BB、银包铜、铜电镀、薄片化等降本提效技术的逐渐成熟，HJT技术的竞 争力预计将进一步增强，性价比将逐步显现。

（三）HJT 组件功率优势明显，多技术争奇斗艳

HJT组件功率和转换效率优于TOPCon组件和PERC组件。2023年SNEC展会上， TOPCON、HJT、钙钛矿等多项技术成为焦点，从组件功率来看，HJT组件占据前列， 以东方日升伏羲系列组件的最高功率741.456W为首，高出TOPCon组件最高功率约 21W，高出PERC组件最高功率约61W，转换效率也有一定优势。0BB、银包铜、MBB/SMBB、HBC、HPDC等技术路线多点开花。在HJT组件技术 路线中，已开发了0BB、MBB、SMBB等多种类型的主栅技术，HBC（HJT+IBC）、 HPDC（复合钝化双结电池）等电池结构优化技术，以及银包铜等材料改进技术，HJT 的降本提效路线多点持续突破。

二、提效降本路线明晰，多线并举待花开

HJT提效降本路线较为明确，23年逐步进入兑现期。参考HJT龙头企业华晟新能源的 展望，HJT技术将历经5个阶段，逐步将单面/双面微晶、铜电镀电极、无铟TCO、背 接触结构等技术运用到异质结电池中；双面微晶、0BB、银包铜、铜电镀、低铟化/ 无铟化靶材的导入多在2023~2024年陆续完成测试，25年有望成为HJT大规模量产 的时间节点。

（一）双面微晶：22 年为导入期，23 年逐步走向成熟

双面微晶效率预计提升0.5%以上，2023年全面导入。2023年3月和4月，华晟宣城三 期2.4GW和金刚酒泉4.8GW的双面微晶电池分别实现出片，转换效率均突破25%， 比单面微晶提高0.5%以上。通威股份、东方日升、爱康科技、宝馨科技等头部玩家 正在积极导入测试中，预计2023年各企业将全面完成双面微晶的开发测试，逐步步 入成熟的量产阶段。

（二）薄片化：100μm 各家导入研发中

HJT电池在“薄片化”上具备一定的先天优势。根据南京航空航天大学沈鸿烈教授介绍，一般的，硅片每减薄20μm，可使价格可下降10%，对应组件成本降低约5-6分 /W。与PERC和TOPCon电池相比，HJT电池结构对称，应力分布更加均匀；制备温 度较低（200℃左右），不容易因为受热不均引起硅片翘曲；硅片减薄对转换效率的 影响较小，因此薄片化对HJT的竞争力提高有着明显的促进作用。爱康科技认为，随 着焊接工艺、自动化工艺和层压工艺的优化以及无主栅技术的开发，210硅片厚度可 降至90μm。TCL中环首发110μmN型硅片，硅片龙头开始推动行业降本。2023年3月，TCL中环 价格公示中首次新增110μmN型硅片，210片报价8.02元/片，182片报价6.14元/片， 明显低于P型150μm硅片价格，主要来自于薄片化带来的成本降低；5月，TCL中环 公示的110μm和130μm硅片的价格均有一定幅度下降，主要原因是伴随产业链成本 下降，一季度终端需求逐步回暖，产业链开工率提升，硅片环节受供应链关键辅材 短缺影响呈现供应紧缺局面，同时随硅料供给能力提升，价格逐步下行，光伏制造 业硅成本占比逐步下降，核心竞争力重新回归至技术创新与先进的制造方式。110μm 硅片的量产实现在推动硅片环节降本的同时，为N型电池技术的发展提供保障，助力 产业链成本的持续降低。

“薄片化”导入各家进度不一，东方日升较为领先。目前行业内的HJT玩家已经完成 对130μm硅片的开发，而东方日升率先完成100μm硅片的开发，而华晟新能源、爱 康科技和金刚光伏等HJT头部企业均在积极导入测试更薄的硅片。根据4月27日东方 日升披露的公众号，首批异质结伏曦电池已于金坛基地成功下线，采用了多项行业 领先技术，包括使用100μm厚度的210半切硅片、微晶技术和低银含浆料，电池效率 突破25.5%，组件功率突破700W，成本降低20%。

（三）0BB：降本增效利器，组件端重大技术变化

HJT采用高含银量的低温银浆，少银化是降本的关键方向。HJT采用低温银浆，导电 性能弱于高温银浆，因此需要提高银含量增强导电性，从而导致更大的银耗量。无 主栅（0BB）技术、银包铜技术和铜电镀技术是目前行业攻坚的重点方向，多项技术 已进入测试阶段，量产突破在即。0BB降本提效同步进行，东方日升专利布局较为深入。0BB技术可以大大减少栅线 对光线的遮挡，提高电池转换效率，同时还可以降低银浆用量，从而降低电池制造 成本。专利布局方面，东方日升在电池串连接方法、组件制备工艺方面布局较为深 入，华晟新能源、爱康科技也在复合膜、0BB电池片和组件等方面有部分专利布局。

东方日升可能通过加粗栅块和导电环保证0BB组件的稳定性。专利CN218602452U 公布了一种0BB电池，在水平栅线上间隔排布连接有多个加粗栅块或导电环的布置 线，沿布置线上点涂非导电胶并连接焊带；导电环内涂胶水后，能够增大每条布置 线上用于粘接焊带的涂胶面积，保证焊带在电池片上的固定效果；同时加粗栅块使 点涂胶水不容易遮挡栅线，保证组串形成的组件可靠性，解决了胶水涂布面积不当 导致焊带固定不牢或EL不良的问题。华晟新能源可能运用软连接和硬连接相互搭配的工艺，防止电池片和焊带脱离。专 利CN115347080A在太阳能电池片两面均使用液态粘接胶与粘接胶带搭配的工艺， 液态胶与电池片之间属于硬连接，能够减少电池片的弯曲程度；粘接胶带与太阳能 电池片之间的连接属于软连接，能够缓冲保护电池片头尾部易碎区域，两者共同作 用有利于减少碎片的产生，使焊带和电池片连接更加紧密，同时避免在层压的过程 中电池片发生翘曲和焊带脱离，提高电池片的使用寿命。

0BB对组件亦提出了新的要求。0BB的电池结构发生了较大的变化，因此组件端也 需要做出相应的调整，东方日升、华晟新能源的组件连接方法比较类似类似，均是 将前一电池片正面焊带连接至下一电池片背面胶水结构，从而将多块电池片连通形 成组件，这种连接方式相对传统；而爱康科技则开发了新的焊接工艺，电池片之间 经过叠片后通过焊接点上的导电胶进行电流传输，取消了相邻电池片之间的间距， 组件内有效发电面积增多，从而提升组件效率。

华晟新能源可能使用凹槽和复合膜保证封装时组件效率不受损。在 专利 CN218827159U中提出了一种复合膜，由表面开设有凹槽的承载膜和粘接膜构成， 通过将导电丝（焊带）嵌入凹槽固定并减少移动，在复合膜和无主栅太阳能电池进 行层压时，即使承载膜在高温熔化后具有流动性，也能够避免因承载膜流动引起的 导电丝出现移位，还能避免复合膜和无主栅太阳能电池在压合过程中由于受到较大 压力造成导电丝弯曲或者卷翘，保证太阳能电池组件效率。

设备端，0BB电池主要设备为连接电池片使用的串焊机。目前0BB主要有SmartWire、 点胶和焊接三种方案。SmartWire需要先制作内嵌铜焊带的有机薄膜（即铜丝复合膜）， 再与电池片连接、组串随后与封装胶膜热压；点胶方案先在电池片表面进行点胶， 再将整条焊带利用UV灯固化在电池片上，最后通过层压实现焊带与电池片的合金化；焊接方案则通常与点胶结合，先将焊带和栅线初步焊接，再在指定位置点胶固化， 从而稳固焊带与细栅的结合，或将焊带与栅线点胶固化后再进行焊接合金化。

奥特维作为 0BB串焊机龙头，多方案均有布局。SmartWire方 案中， 专 利 CN112490329A先将正背面膜片与焊带贴敷形成焊带组件，再将电池片依次叠放， 即可通过热压完成电池串的连接，生产效率高；点胶方案中，专利CN217280819U 直接通过施胶、叠放、照射固化完成串焊；焊接方案中，布局了点胶+焊接和焊接+ 点胶两种串焊技术，“点胶+焊接方案”即在将焊带胶粘至无主栅电池片上后，立即 对焊带实施低温焊接，使得焊带与无主栅电池片的副栅之间形成合金化连接以形成 电池串，此时后道层压无需设置功能膜隔离EVA，从而降低成本，“焊接+点胶方案” 即先将将焊带组焊接到电池片上，使焊带组与副栅之间形成合金化连接，再利用胶 带将焊带组固定至电池表面并层压固化，可以提高焊接强度，防止焊带位移。

迈为股份相对聚焦，采用先焊接再点胶的方案。根据专利CN218769576U，迈为发明的0BB串焊机先将电池片主背面、焊带焊接在一起形成电池串，并进行粘合剂涂 敷、固化，消除了搭接不良的风险，降低了焊带与细栅对齐度的要求，提升焊带与电 池片的结合力；同时取消了复合膜和电池片正背面PAD点，减少光伏电池片表面遮 挡和银浆使用量，极大的降低了成本；此外，两套电池串翻转机构、涂敷固化机构以 及加热装置，能够维持工作温度，提高电池串稳定性的同时提高产能。

小牛自动化、光远股份也涉及0BB串焊机布局。小牛自动化开发的适应0BB胶粘工 艺的NS02-5000T型超高速划焊一体机在2023年先后中标正泰新能、晶澳太阳能、韩 华美国和隆基嘉兴，2023年5月24日，在新品发布会上提出在0BB和薄片化背景下克 服传统焊接隐裂断栅等问题的IFC技术，开发了CHJ40型一体化覆膜机，能够实现电 池片、焊带、正背面胶膜一次性直接覆膜成串，焊带与胶膜无需提前复合，兼容复合 膜覆膜工艺，具有无需助焊剂、互联条密集，隐裂和微裂电流传导更优的特点。光远 股份（非上市）聚焦电池片组件端新主流高速划焊一体设备、无应力焊接设备，开发 了众多针对多主栅和无主栅等密栅电池的串焊设备、压紧设备。

东方日升率先突破0BB电池量产，各厂家测试中。2023年4月27日，东方日升（江苏 公司）宣布4GW高效25.5%异质结0BB电池顺利实现首线全线贯通，首批异质结伏 曦电池已于金坛基地成功下线，标志着东方日升金坛基地210异质结电池正式进入大 规模量产阶段；爱康科技5月30日在互动平台表示，新开发的730W异质结组件属于 AKiDower7.0系列，采用0BB技术，可有效降低串联电阻，实现组件CTM提升1%；叠加100um以下硅片薄片化、光转膜、微晶工艺等先进技术，转换效率高达23.5%；公司已具备量产能力。

（四）银包铜：少银化重要手段，核心在于下游的接受程度

银包铜浆料国产替代进展良好，厂家专利布局已久。帝科股份、迈为股份、苏州固 锝（子公司苏州晶银）和博迁新材进展相对较快，其中帝科股份、苏州晶银和博迁新 材在低温银浆制备、银包铜粉及浆料制备和丝网印刷装置上有一定专利布局，有望 解决国产厂家导电浆料可靠性差、导电性低、太阳能电池的转化效率低等诸多技术 缺陷，能够产生优异的欧姆接触性能的同时，通过银包铜粉的使用降低材料成本， 并改善银颗粒之间的团聚现象，提高导电性能。

含银量低于50%的浆料，验证相对顺利。主流银包铜浆料含铜量为40~50%，背面效 率与低温银浆持平，正面略有差距。目前苏州固锝、帝科股份40~50%铜含量的浆料 已通过客户可靠性测试，实现了批量供货；迈为股份正在测试40%的银包铜浆料；博迁新材搭建了中试线，小粒径成品银包铜粉突破吨级以上销售。

银包铜有望降低单片银耗量30%以上，每W耗量降至10mg水平。根据华晟新能源的 最新测算，M6-12BB电池单片银耗量已降至150mg，通过在背面副栅使用银包铜浆 料，可将单片银耗降低至120mg；2023年，华晟预计将全面使用银包铜浆料代替纯 银浆，届时单片银耗量将可低至80mg，换算每瓦耗量11.4mg。银包铜作为一项新技 术，还未经历过电站端长时间的验证，下游的接受预计还将需要一定的时间。

（五）铜电镀：去银化终极方案，中试走向量产的关键阶段

铜电镀为去银化终极方案，提效降本共发力。效率端，铜电阻为低于含有机杂质的 低温银浆，导电性能更好，线宽可以做到10-20μm，而HJT低温银浆电极一般在30- 50μm，铜电极遮光更少，可释放电池片发电效率潜力，预计效率增幅在0.3~0.5%， 电镀铜有望将HJT电池转换效率提高到26%以上；成本端，铜材料价格远低于低温银 浆，用铜栅线替换银栅线能够实现大幅度降本，根据国电投测算，到2023年底，铜 栅线异质结金属化成本有望降低到0.08元/W，比银栅线技术成本降低50%，度电成 本（LCOE）显著降低。铜电镀主要步骤为种子层+图形化+金属化，各路厂家多方布局。制备种子层是为了 提升栅线与TCO层间的导电性和附着力，易于电镀铜附着，目前迈为正在攻克无种 子层技术；图形化主要分为激光直写、掩膜显影，代表厂商分别为芯碁微装、苏大维 格，近期太阳井布局了投影式光刻技术，具有较好的曝光效果同时避免掩膜板损伤， 迈为则布局了激光开槽和掩膜显影等图形化方式。金属化分为水平电镀和垂直电镀， 代表厂家分别为捷德宝、太阳井和东威科技，水平电镀更利于产量提升和自动化实 现，迈为参股子公司启威星主要涉及铜电镀的湿法装备，在水平电镀方面亦有布局。

通威布局了种子层电镀方案。在专利CN115799400A中，发现槽道中部的感光胶层 残留导致电镀沉积速度慢于正常铜种子层上的电镀沉积速度，而发生“U型冒镀”， 通过调整显影能力和改变显影方式、额外增加除胶步骤能够将发生U型冒镀概率控制 在0.004%以下；在专利CN115986006A中，通过进行多次电流密度递增的电镀逐步 形成栅线，能够减小由于槽壁与电镀液的接触不均而导致金属镀层内形成孔洞的几 率，增强镀层与镀层、镀层与种子层之间的结合力，降低栅线的电阻率，进而提高太 阳电池的可靠性和转换效率。

通威布局的铜互联电池，采用铜与氧化铜的混合层作为种子层。在完成非晶硅、掺 杂层和透明导电层的制备后，先利用PVD在正背面沉积100~250nm的铜种子层，再 沉积100~200nm的混合物层，其中氧化铜的含量在30~80%之间，可以阻挡环境中 的水和氧气影响内部的铜种子层，还能使得形成的铜栅线形貌整齐且毛刺较少；图 形化使预镀混合层表面露出，再用弱酸洗去氧化铜，便会形成镂空的单质铜层，此 时再进行电镀，铜会从最底部的种子层表面开始生长，逐渐填充“镂空铜”之后在表 面生长铜栅线（高度为8~10μm），使得电镀铜整体与铜种子层之间的接触电阻变小、 空洞数量和尺寸显著减少；电镀铜完成后再二次电镀一层2~4μm的锡栅线以保护铜 栅线。

迈为另辟蹊径，重点开发无种子层电镀技术。在电镀铜步骤前采用预镀镍的方式， 直接生成了正背电极的栅线，从而无需双面PVD溅射铜种子层及刻蚀，避免了含铜 废水的排放；减少了由于铜种子层刻蚀引起的TCO损伤，无效线宽遮挡区域从占整 体吸线宽50%以上降低到低于10%水平，克服了传统技术的不足。

迈为布局的铜电镀电池可能采用多叠层TCO层和多层减反层膜设计。在专利 CN115911167A中，在电池正面以PVD方法沉积的ITO作为缓冲层，再在ITO表面以 RPD方法沉积IZrO、背面直接沉积ICO作为TCO层，并均以SnO2作为保护层，从而 形成叠层TCO层，具备高迁移率、高透过性、耐腐蚀性的特征；由于SnO2保护层的 存在，无需镀铜种子层即可进行铜电镀工艺，避免了去除铜种子层的蚀刻工艺对TCO 层造成损伤；多层减反膜工艺能够再次提高光的吸收，且SiO2与POE膜封装效果较 好，更利于后续电池的组装。

捷佳伟创针对金属电极技术和组件问题，开发了多种电镀铜方案。捷佳创伟首席科 学家宋广华认为传统的电镀铜工艺容易出现种子铜残余、压膜表面损伤和EVA胶膜 脱层等问题，而组件产品则面临户外电站和短路LID实验出现EL主栅发黑的问题，针 对此开发了无种子铜电镀+IWO+介质膜+水平电镀的方案，能够在一定程度上避免 上述问题的发生。

国电投除开发普通铜电镀电池外，还布局了背面为铜薄膜的铜电镀电池。普通铜栅 线电池使用叠层TCO，以氢掺杂氧化铟层为底层，提高整体载流子迁移率、降低电 阻率，覆盖一层ITO、IWO等构成的接触层，以保证TCO层与金属电极之间较低的接 触电阻；国电投还开发了一种背面为整面铜薄膜的电极，无需进行图形化，即可以 节省工艺流程和光刻掩膜的使用，有效地降低成本，同时降低串联电阻、提高填充 因子，提高电池的效率。

电镀环节，垂直电镀相对成熟，但是具有产能相对较小、良率较差的弊端，水平电 镀成为行业研发的重点方向。垂直电镀广泛应用于PCB电镀铜工艺，夹爪夹住阴电 极，竖着挂在电镀槽中进行铜电镀。从产业目前进展看，垂直电镀用于HJT电池铜电 极电镀，必须放慢沉积速度以提高均匀性，所以单机产能比较小（每小时2000-3000 片），良率也比较差，容易发生碎片；水平电镀增加了阴极与欲镀表面的接触面积， 保持待镀表面的电流密度分布更加均匀，是行业重点攻坚方向。

水平电镀难度高、潜力大。太阳井开发了一种使用探针进行电镀的水平电镀设备， 阴极探针组件包括贴合吸盘和阴极导电探针，贴合吸盘设有吸附腔体，阴极导电探 针设于吸附腔体内，旋转运动件能带动阴极导电探针同步旋转，降低了电镀过程中 发生位置偏移的风险；贴合吸盘周期性地贴合于电池片，形成隔离空间，仅含少量 电镀液，降低了阴极探针与电池片镀在一起的风险，也减少了后续退镀的时间，降 低了探针被腐蚀的风险，延长使用寿命。捷得宝布局了增加电池片受镀面积的单双面水平镀设备。通过扩增部的设置提高电 镀效率，缩短设备的制造长度，在阳极组的上药水盒内有柔性海绵扩增面，能够使 上方药水均匀扩散；下方药水从底部涌出，能够扩大药水与电池片的接触面积，完 成电池片的双面电镀。由于配置了真空吸嘴接头与阻水滚轮组及热风刀结构，能有 效阻绝电镀药水于阳极组内，有效保持阴极组干燥，无需消挂退镀。

罗博特科独创了VDI电镀技术，具有产能大、碎片率低、占地面积小的优点。在专利 CN115613106B中，将电池片插入阴极导电支架上的导电支撑单元中，再插入位于 电镀槽内的阳极结构中，使一个导电支撑单元位于相邻两个阳极板组件之间，即可 完成双面电镀。该插片式电镀装置产能可达到14000整片/小时，碎片率约为0.02%， 远优于相同面积下垂直连续式（7200半片/小时，碎片率0.04%）和水平式电镀装置 （6000整片/小时，碎片率0.03%）的生产能力。

23年为铜电镀中试之年，下半年值得期待。迈为股份在4月25日投资者关系公告中表 示，今年是铜电镀中试的大年，至少有3-4家客户年内有300MW级别的中试，下半年 公司会有一条中试线在客户端开始验证；宝馨科技、爱康科技也在积极进行相应开 发工作；国电投为规划的首个5GW高效HJT电池及组件量产基地在温州龙港市开工 建设，与罗博特科合作的VDI电镀设备已顺利进场，力争三季度建成产线。

（六）靶材：低铟化、无铟化为主要方向

含铟靶材为主流应用，铟价格和储量影响HJT发展。目前，无论研发或是量产中，绝 大多数异质结电池的TCO层材料均为ITO（主体为氧化铟，占比90%以上，掺杂锡） 或其他以铟为主的掺杂材料（钨掺杂IWO、锌掺杂IZO等），其中铟是稀有金属，储 量有限，且价格经常波动，会严重制约异质结电池的发展。因此，开发含铟量更低的透明导电材料或能取代氧化铟锡材料的其他类型透明导电材料迫在眉睫。低铟、无铟电池技术开发中，迈为布局较深。在最新的专利CN218918903U中，迈 为公开了以氧化锡基TCO材料代替铟基TCO材料的异质结电池方案，使用掺钽氧化 锡（TTO）、掺钼氧化锡（MTO）或者钽钼共掺氧化锡（MTTO）进行多层梯度掺杂 作为TCO，有望解决传统无铟TCO氧化锌铝（AZO）材料性能不佳、稳定性差、可 靠性差的问题，降低了成本的同时保证了电池稳定性；在专利CN116031323A中， 迈为通过在氧化锡层和掺杂层之间使用PVD方法制备超薄ITO缓冲层和RPD制备超 薄ICO/IWO缓冲层，改善了氧化锡层与掺杂层间的接触电阻大的问题，该叠层结构 可大幅度减少靶材的使用，降低生产的工艺成本；同时，该种电池方案可结合铜电 镀技术，在氧化锡层上无需制备铜种子层，可直接执行铜电镀工艺，进一步减少工 艺步骤、降低工艺难度和银材料成本。

爱康科技与创发科技合作研发。创发光电科技总经理为黄信二（爱康集团副总裁）， 主营业务为各类光伏靶材，借助薄膜材料研发经验，创发科技开发出较多种类的无 铟靶材，包括GZO、AZO、GAZO等，在背面无铟电池测试中与ITO靶材对照组相比， 在膜增厚或网版优化时可达到相近效率。

低铟/无铟异质结电池取得突破进展。根据迈为股份公众号，2022年8月，迈为股份采用低铟含量的TCO工艺结合SunDrive公司的铜电镀栅线，在全尺寸（M6， 274.4cm²）单晶硅异质结电池上获得了25.94%的效率，单片铟的使用量比常规（未 采用低铟方案）的异质结电池降低了50%，如果叠加设备降铟的方案再降低40%， 可以将铟用量降低到常规水平的30%；而铜电镀工艺省去了昂贵的银浆成本，这两 项工艺的结合使异质结电池的制造成本降至新低，同时确保了优异的光电转化效率。根据隆基绿能官网，2022年12月，隆基研发团队利用储量丰富、价格便宜且安全环 保的薄膜材料，取代了传统的铟基透明导电膜，实现了26.09%的转换效率，再一次 打破世界纪录，体现了HJT电池工艺在技术改进和降本方面的潜力。

（七）设备端：板式 PECVD 为主流，Cat-CVD 为降本提效潜在选项

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议）

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