谁能想到苹果会选择将索尼先进的Exmor T工艺技术应用于基础版的iPhone 15后置广角镜头模块的图像传感器中，而并非在iPhone 15 Pro Max上。索尼的Exmor T工艺——其光电二极管是其自有专用工艺层，深度为 4.2 um，可增加响应，并提供全背面深沟槽隔离，从而减少光学和光载流子串扰。TechInsights 在今年早些时候拆解索尼 Xperia 智能手机时首次记录了这一技术创新。它也被用于后置广角摄像头模块。索尼Xperia V1智能手机后置广域镜头图像传感器的像素阵列横截面
该工艺技术结合了光电二极管层的基础技术，但有关键区别：对于iPhone 15来说，每个像素都是一个光电二极管，通过一个deep contact读出，而对于Xperia来说，在一个单色滤光片下有多个半间距（half-pitch）光电二极管（通过一个转移栅极）；对于iPhone 15来说，有一个完全的隔离，背面的深沟槽端在浅沟槽隔离上，而对于Xperia来说，在前面有一个间隙，提供光载波的共享。苹果iPhone 15智能手机后置广域镜头图像传感器的像素阵列横截面
光电二极管和像素器件堆叠层的技术面临的一个挑战是如何在无序的界面上传输电荷。索尼通过回到堆叠技术早期使用的技术来实现这一点：在器件制造完成并将两层粘合在一起之后，在金属层沉积之前，创建双触点，一个是与光电二极管层中底层浮动扩散节点的深触点，另一个是与源跟随器和器件二极管的正常浅触点。这解决了问题，但可能会损害转换增益，并占用限制像素尺寸缩小的面积。相关阅读：苹果iPhone 15系列将推动索尼CIS增长
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