一.功率半导体概览
功率半导体是负责电能转换与电路控制的元器件，用于需要电能处理和转换的场景。按集成度划分，功率半导体可分为功率分立器件、功率IC两大类。（1）功率器件：体积较大，用于处理高功率和大电压。主要包括二极管、晶体管（IGBT、MOSFET、BJT）、晶闸管等。（2）功率IC：即功率集成电路，将功率器件与电路集成在同一个芯片上，主要应用于手机等小电压场景。功率器件包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等主要产品。（1）二极管、三极管、晶闸管都由简单的PN结组成，开关速度慢，常用于低频领域。（2）MOSFET、IGBT属于第二代功率半导体，是目前功率器件主要市场，占比40%、25%。整体来看，在低压场景，MOSFET相对IGBT在电性能和价格上具有优势；600V以上，电压越高，IGBT优势越明显。（1）二极管：主要有SBD、FRD等，主要用于低压领域，包括工业、电子设备等。
（2）晶闸管：主要用于高压领域，如工控、UPS（不间断电源）、变频器等。（3）MOSFET：主要应用于中低压领域，主要用于计算机、通信、消费电子、开关电源、充电器等。（4）IGBT：适用于高电压领域，广泛应用于新能源车、消费电子、轨道交通、光伏、风电、家电、电网等领域。三. MOSFET市场格局
MOSFET又称MOS管，具有开关和功率调节功能，开关速度快、能耗低、便于集成。从竞争格局来看，全球MOSFET行业集中度较高，由英飞凌、安森美、东芝等欧美日厂商主导，其中英飞凌全球市场份额25%。
国内主要厂商包括：华润微、闻泰科技、士兰微、富满微。闻泰科技：旗下安世半导体为国内功率半导体IDM厂商，小信号二极管和晶体管出货量全球第一、功率分立器件全球第六。
士兰微：国内功率半导体IDM大厂，业务涵盖分立器件、集成电路、发光二极管三大类。四. IGBT产业解析
4.1 分类及应用
IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是电能转换与电路控制的核心器件，能耗低、散热小，稳定性高，适用于中大功率电子器件。依据电压等级不同，可划分为低压、中压和高压IGBT：（1）600V以下的低压IGBT主要应用于消费电子领域。（2）600V-1200V的中压IGBT主要应用于新能源汽车、光伏、家电、工业领域。（3）1700V以上的超高压IGBT主要应用于轨交、风电、电网领域。4.2 IGBT竞争格局
全球IGBT行业集中度较高，英飞凌、三菱、富士电机、安森美、东芝合计占据70%市场份额。
按公司运作模式可分为Fabless、Foundry、IDM三类：
（1）Fabless：主要负责芯片设计以及产品销售，国内厂商包括：斯达半导、新洁能、芯朋微。（2）Foundry：主要负责晶圆制造，国内厂商包括：中芯国际、华虹公司。（3）IDM：集芯片设计、制造、封测环节于一身，国内厂商包括：扬杰科技、士兰微、捷捷微电、台基股份。扬杰科技：主营各类功率半导体（MOSFET、IGBT、小信号二三极管、大功率模块等），经营模式采用IDM、Fabless 并行。新洁能：国内MOSFET、IGBT等半导体功率器件设计厂商。——END——
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